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打破日企壟斷只是時(shí)間問題？東進(jìn)半導(dǎo)體宣布與三星成功研發(fā)EUV光刻膠
2021-12-31 07:45
據(jù)韓媒etnews報(bào)道，韓國(guó)東進(jìn)半導(dǎo)體與三星電子合作，成功開發(fā)了超細(xì)半導(dǎo)體加工必不可少的材料——極紫外(EUV)光刻膠(PR)。EUV光刻膠是因其技術(shù)難度高而完全依賴國(guó)外的產(chǎn)品，此次韓國(guó)通過國(guó)內(nèi)企業(yè)合作實(shí)現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)化，意味著日企壟斷的打破。
東進(jìn)半導(dǎo)體華城工廠鳥瞰圖，來(lái)源：etnews
12月19日，東進(jìn)半導(dǎo)體宣布于近期通過了三星電子的EUV光刻膠可靠性測(cè)試，發(fā)布此消息后，截至12月21日上午11時(shí)45分，東進(jìn)半導(dǎo)體股價(jià)較前一交易日上漲12.8%。
一位熟悉此事的業(yè)內(nèi)人士表示，“東進(jìn)半導(dǎo)體在其位于京畿道華城的工廠開發(fā)了 EUV光刻膠，并在三星電子的華城EUV生產(chǎn)線上對(duì)其進(jìn)行了測(cè)試，并獲得了最終的可靠性認(rèn)證。”
三星電子，來(lái)源：etnews
光刻膠是半導(dǎo)體曝光工藝中的關(guān)鍵材料。它被施加在晶片上，當(dāng)用半導(dǎo)體曝光設(shè)備照射光時(shí)，會(huì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)并改變物理特性。通過用顯影劑沖洗掉來(lái)繪制微電路，只留下必要的部分。
在韓國(guó)，用于KrF和ArF工藝的光刻膠已大量生產(chǎn)，但沒有用于可以繪制更精細(xì)電路的EUV光刻膠，大部分需要依賴日本進(jìn)口。此外在2019年，日本與韓國(guó)爆發(fā)爭(zhēng)議之后曾經(jīng)限制三種重要的半導(dǎo)體材料對(duì)韓國(guó)的出口，EUV光刻膠就是其中之一，為此韓國(guó)公司也加快了EUV光刻膠的研發(fā)，東進(jìn)半導(dǎo)體也是其中之一。
東進(jìn)半導(dǎo)體利用自有的基礎(chǔ)設(shè)施，如現(xiàn)有的ArF曝光機(jī)和比利時(shí)半導(dǎo)體研究所I MEC EUV設(shè)備，開始進(jìn)行EUV光刻膠國(guó)產(chǎn)化研發(fā)。
今年早些時(shí)候，其加強(qiáng)了EUV光刻膠專家并加速了技術(shù)開發(fā)。此外，三星電子積極支持EUV測(cè)試環(huán)境，以達(dá)到可以在現(xiàn)場(chǎng)使用的質(zhì)量水平。
目前尚不清楚三星電子是否會(huì)立即將東進(jìn)半導(dǎo)體EUV光刻膠投入半導(dǎo)體生產(chǎn)線。正常情況下，如果質(zhì)量合格就會(huì)投入量產(chǎn)線。因此，有人預(yù)測(cè)最早可能在明年上半年供應(yīng)。三星電子和東進(jìn)半導(dǎo)體目前都拒絕就本條新聞表態(tài)。三星電子的一位官員表示：“我們無(wú)法與合作公司確認(rèn)測(cè)試是否通過。”
就該消息而言，三星與東進(jìn)半導(dǎo)體研發(fā)的EUV光刻膠產(chǎn)品只是成功通過了測(cè)試，距離量產(chǎn)時(shí)間還不確定，但這一消息也表明三星已經(jīng)在EUV光刻膠方面取得成功，量產(chǎn)將只是時(shí)間問題。
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